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了解更多[导读]12月19日动静,据报导,俄罗斯已发布自立开辟EUV(极紫外光刻)光刻机的线路图,方针是比ASML的光刻机更廉价、更轻易制造。 12月19日动静,据报导,俄罗斯已发布自立开辟EUV(极紫外光刻)光刻机的线路图,方针是比ASML的光刻机更廉价、更轻易制造。 据悉,俄罗斯的自立光刻机采取11.2nm的激光光源,而非ASML尺度的13.5nm。这类波长将与现有的EUV装备不兼容,需要俄罗斯开辟本身的光刻生态系统,这可能需要十年或更长时候。 包罗电子设计主动化(EDA)东西也需要进行更新。固然现有EDA东西仍可完成逻辑合成、结构和路由等根基步调,但触及暴光的要害制程,如光罩数据预备、光学临近校订(OPC)和分辩率加强手艺(RET),则需要从头校准或进级为合适11.2nm的新制程模子。 该项目打算由俄罗斯科学院微布局物理研究所的Nikolay Chkhalo带领,目标是制造机能具竞争力且具本钱优势的EUV光刻机,以匹敌ASML的装备。 Chkhalo 暗示,11.2nm波长的分辩率提高了20%,可以供给更邃密的细节,同时简化设计并下降光学元件的本钱。 这类调剂显著削减了光学元件的污染,耽误了搜集器和庇护膜等要害部件的利用寿命。 俄罗斯的光刻机还可以使用硅基光阻剂,预期在较短波长下将具有更超卓的机能表示。 虽然该光刻机产量仅为ASML装备的37%,由于其光源功率仅3.6千瓦,但机能足以应付小范围芯片出产需求。 据报导,俄罗斯光刻机的开辟工作将分为三个阶段,第一阶段将聚焦在根本研究、要害手艺辨认与初步元件测试。 第二阶段将制造每小时可处置60片200毫米晶圆的原型机,并整合至国内芯片出产线。 第三阶段的方针是打造一套可供工场利用的系统,每小时可处置60片300毫米晶圆。 今朝还不清晰其光刻机将撑持哪些制程手艺,线路图也未提到各阶段完成的时候表。
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